本文摘要：上海陆芯“外延结构及半导体器件”专利获授权

天眼查显示，上海陆芯电子科技有限公司“外延结构及半导体器件”专利获授权，授权公告日为7月7日，授权公告号为CN114566538B。

上海陆芯“外延结构及半导体器件”专利获授权

天眼查显示，上海陆芯电子科技有限公司“外延结构及半导体器件”专利获授权，授权公告日为7月7日，授权公告号为CN114566538B。

图片来源：天眼查

专利摘要显示，本发明提供了一种外延结构及半导体器件，外延结构包括：钝化层；势垒层，势垒层位于所述钝化层的一侧；其中，所述势垒层的表面包括至少一个势垒层凹槽，至少一个势垒层凹槽位于结构设定区域，且所述至少一个势垒层凹槽的开口朝向钝化层。

势垒层表面的势垒层凹槽可以引入更多的电场集中区域，进而削弱在栅极靠近漏极的边缘处因电场集中效应产生的峰值电场的强度，减少栅极边缘因该峰值电场的作用变为会被陷阱俘获的热电子的数量，进而缩短了在半导体器件开关时陷阱的充放电时间，即缩短了半导体器件开启和关断的时间，提高器件的响应速度。

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